연세대학교 물리학과 조만호 교수 연구팀이 차세대 초격자 상변화 메모리(Advanced iPCM)를 개발해 물리 및 재료과학 분야의 권위 있는 국제학술지 ‘머터리얼즈 투데이(Materials Today, IF 24.2)’에 지난 18일 게재됐다.연구팀은 우수한 상변화 특성으로 잘 알려진 게르마늄텔루라이드(GeTe)와 안티몬텔루라이드(Sb2Te3) 층이 초격자 구조를 이루고 있는 기존 계면 상변화 메모리(iPCM)에서 한 단계 발전시켜, 초격자 구조의 안티몬텔루라이드(Sb2Te3) 층에 티타늄(Ti) 원소를 선별적으로 치환하는 방식으로