경북대 전자공학부 김대현 교수팀이 최대 발진 주파수(fmax) 742GHz를 기록한 45나노미터(nm)급 질화갈륨(GaN) 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)를 개발했다. GaN HEMT에서 최대 발진 주파수가 700GHz를 초과한 것은 세계 최초이다.이번 연구 결과는 6월 18일(미국 현지 시간) 미국 하와이 호놀룰루에서 열린 반도체 분야 국제학술대회인 ‘VLSI 심포지엄 2026’에서 공개됐다. VLSI 심포지엄은 세계 3대 반도체 학회 중 하나로, 최첨단 반도체 소자 및 회로 기술 분야의 대표적인 국제학술대회로 평가받고 있다.